Druk-Pak IGBT
Perspak IGBT (IEGT)
| TIPE | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A / µF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2.2 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2,5 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2.8 | ≤1,50 | ≤0,90 | 125 | 0,027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2.8 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2,5 | ≤1,50 | ≤0,33 | 125 | 0,012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2,5 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4,0 | ≤1,90 | ≤0,50 | 125 | 0,05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3,5 | 1.9 | ≤0,35 | 125 | 0,03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3.2 | ≤1,8 | ≤0,85 | 125 | 0,017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4,0 | ≤2.2 | ≤0,60 | 125 | 0,012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4,0 | ≤2.1 | ≤0,58 | 125 | 0,011 |
Let wel:D- met djode deel, A-sonder diode deel
Konvensioneel is die soldeerkontak IGBT-modules in die skakelrat van buigsame GS-transmissiestelsel toegepas.Die modulepakket is enkelkant-hitteafvoer.Die kragkapasiteit van die toestel is beperk en nie behoorlik om in serie gekoppel te word nie, swak leeftyd in soutlug, swak vibrasie teen-skok of termiese moegheid.
Die nuwe tipe pers-kontak hoëkrag perspak IGBT-toestel los nie net die probleme van leegheid in soldeerproses, termiese moegheid van soldeermateriaal en lae doeltreffendheid van enkelsydige hitte-afvoer heeltemal op nie, maar skakel ook die termiese weerstand tussen verskillende komponente uit, verminder die grootte en gewig.En verbeter die werkdoeltreffendheid en betroubaarheid van IGBT-toestel aansienlik.Dit is redelik geskik om te voldoen aan die hoë-krag, hoë-spanning, hoë betroubaarheid vereistes van die buigsame DC transmissiestelsel.
Die vervanging van soldeerkontaktipe deur perspak IGBT is noodsaaklik.
Sedert 2010 is Runau Electronics ontwikkel om nuwe tipe perspak IGBT-toestel te ontwikkel en die produksie in 2013 op te volg. Die prestasie is gesertifiseer deur nasionale kwalifikasie en die voorpuntprestasie is voltooi.
Nou kan ons 'n reeks perspak-IGBT van IC-reeks in 600A tot 3000A en VCES-reeks in 1700V tot 6500V vervaardig en verskaf.'n Fantastiese vooruitsig van perspak-IGBT wat in China gemaak is om in China toegepas te word, buigsame GS-transmissiestelsel word hoogs verwag en dit sal nog 'n wêreldklas-mylpaal van China se kragelektronika-industrie word na 'n hoëspoed-elektriese trein.
Kort inleiding van tipiese modus:
1. Modus: Druk-pak IGBT CSG07E1700
●Elektriese eienskappe na verpakking en pers
● Omgekeerdeparallelverbindvinnige herstel diodeafgesluit
● Parameter:
Gegradeerde waarde (25 ℃)
a.Versamelaar-emitterspanning: VGES=1700（V）
b.Hek-emitterspanning: VCES=±20（V）
c.Versamelaarstroom: IC=800（A）ICP=1600（A）
d.Versamelaar kragdissipasie: PC = 4440 (W)
e.Werksaansluiting temperatuur: Tj = -20 ~ 125 ℃
f.Bergingstemperatuur: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Let wel: toestel sal beskadig word as die geskatte waarde oorskry
ElektriesCkenmerke, TC＝125℃，Rth (termiese weerstand vanaansluiting nageval）nie ingesluit
a.Heklekstroom: IGES=±5（μA）
b.Versamelaar-emitter blokkeer huidige ICES=250（mA）
c.Versamelaar-emitterversadigingspanning: VCE(sat)=6(V)
d.Hek-emitter-drempelspanning: VGE(th)=10(V)
e.Aanskakeltyd: Ton=2.5μs
f.Afskakeltyd: Toff=3μs
2. Modus: Druk-pak IGBT CSG10F2500
●Elektriese eienskappe na verpakking en pers
● Omgekeerdeparallelverbindvinnige herstel diodeafgesluit
● Parameter:
Gegradeerde waarde (25 ℃)
a.Versamelaar-emitterspanning: VGES=2500（V）
b.Hek-emitterspanning: VCES=±20（V）
c.Versamelaarstroom: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Versamelaar kragdissipasie: PC = 4800 (W)
e.Werksaansluiting temperatuur: Tj = -40 ~ 125 ℃
f.Bergingstemperatuur: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Let wel: toestel sal beskadig word as die geskatte waarde oorskry
ElektriesCkenmerke, TC＝125℃，Rth (termiese weerstand vanaansluiting nageval）nie ingesluit
a.Heklekstroom: IGES=±15（μA）
b.Versamelaar-emitter blokkeer huidige ICES=25（mA）
c.Versamelaar-emitterversadigingspanning: VCE(sat)=3.2 (V)
d.Hek-emitter-drempelspanning: VGE(th)=6.3(V)
e.Aanskakeltyd: Ton=3.2μs
f.Afskakeltyd: Toff=9.8μs
g.Diode Voorwaartse spanning: VF=3,2 V
h.Diode Omgekeerde Hersteltyd: Trr=1.0 μs
3. Modus: Druk-pak IGBT CSG10F4500
●Elektriese eienskappe na verpakking en pers
● Omgekeerdeparallelverbindvinnige herstel diodeafgesluit
● Parameter:
Gegradeerde waarde (25 ℃)
a.Versamelaar-emitterspanning: VGES=4500（V）
b.Hek-emitterspanning: VCES=±20（V）
c.Versamelaarstroom: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Versamelaar kragdissipasie: PC = 7700 (W)
e.Werksaansluiting temperatuur: Tj = -40 ~ 125 ℃
f.Bergingstemperatuur: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Let wel: toestel sal beskadig word as die geskatte waarde oorskry
ElektriesCkenmerke, TC＝125℃，Rth (termiese weerstand vanaansluiting nageval）nie ingesluit
a.Heklekstroom: IGES=±15（μA）
b.Versamelaar-emitter blokkeer huidige ICES=50（mA）
c.Versamelaar-emitterversadigingspanning: VCE(sat)=3.9 (V)
d.Hek-emitter-drempelspanning: VGE(th)=5.2 (V)
e.Aanskakeltyd: Ton=5.5μs
f.Afskakeltyd: Toff=5.5μs
g.Diode Voorwaartse spanning: VF=3,8 V
h.Diode Omgekeerde Hersteltyd: Trr=2.0 μs
Let wel:Perspak IGBT is 'n voordeel in langtermyn hoë meganiese betroubaarheid, hoë weerstand teen skade en die eienskappe van die persverbindingstruktuur, is gerieflik om in serie-toestelle gebruik te word, en in vergelyking met die tradisionele GTO-tiristor, is IGBT spanningsaangedrewe metode .Daarom is dit maklik om te bedryf, veilig en 'n wye bedryfsreeks.